風管用UVC凈化殺菌處理器納米光觸媒凈化器納米光催化反應是因光子照射納米鈦后引起的。它又被稱為光固體表面反應、光固體接口反應。納米鈦吸收光氫離子發生管照射出的光子后，氧化鈦內部生成電子與空穴，擴散到表面的電子與空穴能參與光催化反應，納米鈦表面能獲得越多的電子與空穴，反應的效果越好。經研究，納米鈦顆粒尺寸與光催化活性有著密切的關系，納米鈦表面催化劑粒子顆粒較小時體系的比表面積較大，有利于光催化反應在催化劑表面進行。當納米鈦晶粒尺寸由30納米減小到10納米時，其光催化的活性提高了近45%以上，光氫離子凈化模塊納米鈦表面的晶粒一般控制在10~15納米之間，這樣使得反應活性變得很強，因而光催化反應會頻頻不斷發生。納米鈦晶粒越小而其比表面積越大，比表面積越大，其受光面就越大，形成的電子空穴對越多，所以表現出的光催化效率越高。形成的空穴，光氫離子凈化段產生出強力氧化能力，與納米鈦表面起氧化反應后，生成氫氧自由基等多種強氧化性物質。

 風管用UVC凈化殺菌處理器

氫氧自由基擁有很高的氧化能力，能與有機化合物起氧化反應，在有氧氣的情況下，以上公式的反應過程為：有機化合物中間體的原子團與氧氣分子產生原子團連鎖反應，氧氣被耗費，最終有機化合物被分解，變成二氧化碳和水。

 化工工廠、潔凈室、食品廠、電子、光學、精密儀器車間、生物制藥研究室、實驗室等    

  潔凈度要求較高、有濃重化學異味的場所。

銀行、電腦儀表機房、會議室等場所。