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臭氧設備空間穩步增長,產品性能提升,新領域拓展未來可期

2022-12-21 10:21:29來源:財聞網 關鍵詞:臭氧發生器污廢水處理閱讀量:16981

導讀:隨著臭氧產品性能提升,下游應用持續擴張,包括紙漿漂白臭氧發生器應用系統、半導體級高濃度臭氧水系統、光伏級高濃度臭氧水系統、電子級超純臭氧氣體發生器、家用臭氧水機等,新領域拓展值得期待。
  大型臭氧發生器技術門檻高,核心競爭者有限。大型臭氧發生器對臭氧產生效率、設備穩定性、功耗等要求更高,存在較高技術壁壘。隨著市政給水、市政污水處理、工業廢水處理和煙氣脫硝等行業的發展,單臺 10kg/h 以上的大型臭氧發生器成為主流型號。
 
  根據測算,臭氧發生器傳統四大行業2021-2025年市場空間CAGR可達 13%,2025 年市場空間可達 24.5 億元,其中,市政給水、市政污水、工業廢水、煙氣治理 2021-2025 年市場空間 CAGR 分別為 21%、18%、8%、10%。
 
  隨著臭氧產品性能提升,下游應用持續擴張,包括紙漿漂白臭氧發生器應用系統、半導體級高濃度臭氧水系統、光伏級高濃度臭氧水系統、電子級超純臭氧氣體發生、家用臭氧水機等,新領域拓展值得期待。
 
  飲用水新標落地,深度處理需求擴張
 
  為增強水資源承載能力與經濟社會發展的適應性,2021 年 12 月水利部印發《關于實施國家水網重大工程的指導意見》,要求進一步提高城鄉供水保障水平。根據國家統計局數據,2020 年全國供水能力為 1170.65 億立方米,預計“十四五”期間供水能力將在此基礎上提高 290 億立方米,2021-2025 年供水量 CAGR 約為 3.8%。
 
  新版飲用水標準即將落地,深度處理需求增長。為推動供水高質量發展,新修訂的《生活飲用水衛生標準》(GB5749-2022)于 2022 年 3 月發布,并將于 2023 年 4 月正式實施。新標取消了在水源或凈水條件限制時部分指標限值的放寬,提高了水中游離氯余量及消毒副產物的指標限值。
 
  2019年全國298家自來水廠的采樣調研結果顯示,34%水廠原水為 III-IV水,原水耗氧量較高,必須采用深度處理技術才能滿足水質標準的要求。而2019年調研中298個水廠深度處理率僅為17.8%,市政給水領域深度處理需求量仍存在較大的增長空間。
 
  在市政給水領域,臭氧活性炭工藝和膜工藝是主要的深度處理工藝,2019 年臭氧活性炭工藝占深度處理工藝的 67.9%。膜工藝占 28.3%。相較膜工藝,臭氧活性炭工藝對高耗氧量原水優勢突出,除難降解有機物能力高,可除重金屬離子;而膜工藝在去除懸浮物、降低濁度等方面效果更佳。
 
  在投資和運行成本上,臭氧活性炭工業主要投資為設備成本和臭氧接觸池建設,處理成本主要包括電費、維護費用和液氧費用;膜工藝主要投資為膜材料和相關建筑物,處理成本主要包括維護費用、膜更換費用,廢棄物處置費用等;其中納濾膜深度處理效果較超濾更好,但其加壓過濾工藝會帶來較高的電費支出,過濾產生的濃水也會增加處理成本。
 
  綜合來講,臭氧活性炭工藝和膜工藝存在處理效果差異,需根據原水水質等條件選擇。政給水領域臭氧發生器品質要求較高,以國外和國內龍頭企業競爭為主,競爭格局較好,臭氧設備價格較高。
 
  參考國林科技給水工程中配套臭氧設備規模,設備單價,按照設備使用年限10年,2021-2025 年,深度處理比例每年提升約 5pct,臭氧工藝占比每年提升約1pct 進行測算,預計2022-2025年市政給水領域臭氧設備市場空間為3.1/3.6/4.1/4.7億元,同比增速40.0%/16.0%/14.8%/13.8%。
 
  污水廢水處理,臭氧工藝優勢體現
 
  2021 年,國家發改委、住建部印發《“十四五”城鎮污水處理及資源化利用發展規劃》,要求縣城污水處理率達到 95%以上,污水收集處理及資源化利用能力水平得到全面提升。
 
  污水資源化利用要求提高,深度處理率有望增長。“十四五”規劃要求,全國地級及以上缺水城市再生水利用率達到 25%以上,污水處理要滿足回用的基本要求,就必須達到一級 A 及以上排放標準,因此設置深度處理環節至關重要。到 2025 年,預期城市污水深度處理率可達到 95%水平。
 
  技術替代驅動力強,臭氧工藝除難降解有機物效果好。深度處理環節常見技術包括高級氧化法、生物法、物化法等,其中物化法包括絮凝沉淀等,可將污水中顆粒態和部分膠體態以沉淀污泥的形式加以去除和回收,其提升改造成本低,但對溶解態 COD 去除能力有限;生物法主要采用生物膜法,基建和運維成本小,生物降解效果較好,但是產生大量污泥會增加處理成本。
 
  值得注意的是,隨著經濟社會的進步,市政污水中難降解有機物包括持久性有機污染物成為去除的難點,而高級氧化法除難降解有機物能力強,受到廣泛選擇。
 
  在高級氧化法中,化學氧化法需要較高的化學試劑投入,操作較復雜;臭氧氧化法具有顯著優勢,如自動化程度高,抗沖擊負荷性能好,無污泥產生。將臭氧氧化與生物膜、超濾等工藝聯合應用的耦合工藝,將是市政污水領域未來發展的重要方向之一。
 
  近年來,市政污水領域臭氧發生器已基本實現國產替代,隨著競爭的激烈,臭氧設備單價有所下降。污水處理中,臭氧投加量與生活污水和工業廢水比例關系較大,可在 3-25mg/L 范圍內變化,且隨著水質標準要求的嚴格有所提升,故臭氧設備選型較大。參考國林科技市政污水工程中配套臭氧設備規模,設備單價,按照設備使用年限 6~7年,到2025年深度處理占比達到95%。
 
  此外,2020 年中國萬元工業增加值用水量 32.9噸,《工業水效提升行動計劃》提出到 2025 年萬元工業增加值用水量較 2020 年下降 16%,工業領域節水持續推進。考慮全部工業增加值的穩定增長,預計 2022-2025 年工業領域用水量需求總體穩定。
 
  同時,為了提高資源利用率,《工業廢水循環利用實施方案》提出到2025年工業用水回用率要達到94%左右,對工業廢水深度處理需求更高。隨著工業廢水處理和工業用水回用要求的提高,工業廢水深度處理率不斷提升。如前所述,深度處理工藝中,高級氧化法具有降 COD 能力強,可去除難降解有機物等優點,在紡織印染、皮革、電鍍、醫藥等行業的廢水處理中得到了廣泛應用。
 
  臭氧氧化較傳統化學氧化工藝,無藥劑成本,不會產生復雜的化學產物,有利于出水回用,具有技術替代趨勢。預計 2025 年工業廢水臭氧設備市場空間 10.4 億元,2021-2025 年 CAGR 為8.2%。
 
  不同行業的工業廢水在化學需氧量、重金屬濃度、色度、濁度等方面存在較大差異,臭氧投加量可在 10-300mg/L 范圍內變化。根據工程經驗臭氧投加量和化學需氧量之比取為 3,工業廢水化學需氧量進行測算,按照設備使用年限 6-7年,2022 年深度處理占比即達到 100%,臭氧工藝占比持續提升進行測算,預計 2022-2025 年工業廢水領域臭氧設備市場空間為8.8/9.2/9.8/10.4 億元,同比增速 15.0%/4.3%/7.1%/6.6%。
 
  半導體產業鏈國產替代,清洗用臭氧打開新空間
 
  半導體產業轉移&產業鏈安全,半導體清洗設備及核心零部件國產替代空間廣闊。半導體產業中心從美國、日韓、中國臺灣向中國大陸轉移,中國大陸成為全球晶圓新增產能中心。
 
  根據盛美半導體投資者交流材料,2017-2020年期間中國新投產晶圓產能占比達42%,擴張迅猛。根據 JW Insights 統計,2022年初中國大陸共有23家12英寸晶圓廠正在投入生產,總產能104.2萬片/月,與規劃總產能156.5萬片/月相比仍有較大擴產空間。
 
  此外JW Insights 預測試圖覆蓋未來增量市場,中國大陸2022-2026年將新增25座12英寸晶圓廠,總規劃產能160萬片/月,較當前產能提高165%。中國大陸晶圓廠積極擴產帶動中國大陸半導體設備銷售高增。
 
  2022年10月7日,美國商務部宣布了新的半導體限制措施,波動的國際形勢下,半導體行業限制措施頒布的頻次加快,影響加深,半導體產業鏈安全重要性提到新高度,半導體產業鏈國產替代加速。
 
  清洗是貫穿半導體產業鏈的重要工藝環節,用于去除半導體硅片制造、晶圓制造和封裝測試中每個步驟可能存在的雜質,確保芯片良率與產品性能。當前在光刻、刻蝕、沉積等重復性工序后均設置了清洗工序,清洗步驟數量約占所有芯片制造工序步驟的 30%以上,是所有芯片制造工藝步驟中占比最大的工序。
 
  隨著工藝制程升級,芯片結構復雜度不斷提升,晶圓制造工藝更加精密化,清洗工序數量和重要持續提升。濕法清洗與干法清洗通過清洗介質進行區分,濕法主要是采用特定的化學藥液和去離子水,對晶圓表面進行無損傷清洗,同時可采用超聲波、加熱、真空等輔助技術手段;干法清洗則不使用化學溶劑,以氧氣等離子氣體、化學試劑的氣相等效物、高能束流狀物質等進行清洗。
 
  目前濕法清洗為主流的清洗技術路線,占芯片制造清洗步驟梳理的 90%以上,少量特定步驟采用濕法、干法相結合的方式,取長補短構建清洗方案。
 
  根據 SEMI數據,2021 年全球半導體設備市場規模 1026 億美元,中國半導體設備銷售占比 29%,清洗設備價值量占比 5%,中國大陸半導體清洗設備市場空間達 15 億美元。考慮臭氧發生器占半導體清洗設備價值的比例為 15%,預計 2025 年/2030 年中國大陸半導體用臭氧發生器市場空間約 3.4 / 3.8 億美元。
 
  根據國林科技公告,預計 2021 年半導體清洗用臭氧設備國產化率僅 10%左右,假設清洗設備核心零部件國產化率快速提升,至 2030年國產化率達 95%,預計 2025 年/2030 年中國大陸半導體用臭氧發生器國產替代空間 1.6/ 3.7 億美元,較傳統臭氧下游市場空間彈性超 100%,2021-2030 年國產替代空間 CAGR 達 37%。
 
  原文標題 : 臭氧設備空間穩步增長,產品性能提升,新領域拓展未來可期
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